氧化镓科幻影视

厦大杨伟锋教授团队在氧化镓功率器件和深紫外光电探测器领域研究取得重要进展

厦大电子学院杨伟锋教授团队在第四代半导体代表性材料氧化镓(Ga2O3)功率器件和日盲光电探测器研究方面取得重要进展。相关研究成果在Applied Physics Letters和IEEE旗下微电子器件制造领域的多个学术期刊上发表，这些成果为高性能Ga2O3器件

2025年10月9日，商务部与海关总署根据《中华人民共和国出口管制法》、《中华人民共和国对外贸易法》、《中华人民共和国海关法》、《中华人民共和国两用物项出口管制条例》，为维护国家安全和利益、履行防扩散等国际义务，联合发布四项公告，对部分物项实施出口管制，金刚石

使用自产氧化镓衬底，取自进化半导体独特的“无铱工艺”氧化镓晶体，晶片尺寸为2英寸，晶面为(100)偏6度

亲爱的财经朋友们，当你还在纠结手中的科技股去留时，半导体行业正悄然发生着足以改变未来十年产业格局的大事件——存储芯片价格暴涨30%，第四代半导体技术实现关键突破。这不仅是行业周期的简单反转，更是技术革命与产业重构的交汇点。今天，我们从存储芯片“涨价狂潮”和第四

近日，西安电子科技大学研究团队在超宽禁带半导体材料氧化镓功率器件领域取得突破性进展，相关成果于2025年8月14日以“120 A/1.78 kV p-Cr2O3/n-β-Ga2O3 Heterojunction PN Diodes with Slanted M

由深圳平湖实验室的研究团队在学术期刊Journal of Applied Physics发布了一篇名为 Feasibility of p-type conduction in beta rhodium alloyed galliumoxide（β铑合金氧化镓中

近日，南京邮电大学唐为华教授、内蒙古大学刘增教授和南京理工大学张章博士等人在Science China Materials发表论文，采用简单的等离子体增强化学气相沉积技术，制备了一系列锡元素掺杂的氧化镓薄膜（Sn:Ga=0–1.14 at.%）。

近日，西安电子科技大学研究团队在超宽禁带半导体材料氧化镓功率器件领域取得突破性进展，相关成果于2025年8月14日以“120 A/1.78 kV p-Cr2O3/n-β-Ga2O3 Heterojunction PN Diodes with Slanted M

研究人员对该电池的性能展开测试，并将其与四类电池/器件进行对比，分别是：普通多晶电池、水下专用普通多晶电池、氧化镓沉积多晶电池，以及氧化镓沉积水下多晶电池。

在科技飞速发展的今天，半导体作为现代电子产业的基石，其重要性不言而喻。从我们日常使用的智能手机、电脑，到推动新能源汽车发展的关键部件，再到5G通信、航空航天等前沿领域，半导体无处不在。随着技术的不断进步，半导体材料经历了一代又一代的更迭，每一代都带来了新的性能

当你的手机在盛夏突然卡顿、电脑在运行大型软件时风扇狂转、电动车在高速行驶中续航莫名缩水——这些日常烦恼背后，藏着一个被称为“芯片发烧”的世纪难题。而现在，中国科学家用一种意想不到的“跨界联姻”，给全球半导体产业开出了一剂“退烧药”。西安电子科技大学郝跃院士团队

近日，西安电子科技大学集成电路学部郝跃院士团队张进成教授、宁静教授等在宽禁带半导体材料集成领域取得突破性进展，研究成果以“Van der Waals β-Ga2O₃thin films on polycrystalline diamond substrates